CATALOGS OF VEB KERAMISCHE WERKE HERMSDORF

• Document Type: CREST
• Collection: General CIA Records
• Document Number (FOIA) /ESDN (CREST): CIA-RDP80T00246A069500210001-7
• Release Decision: RIPPUB
• Original Classification: S
• Document Page Count: 316
• Document Creation Date: December 27, 2016
• Document Release Date: February 20, 2013
• Sequence Number: 1
• Publication Date: September 25, 1963
• Content Type: REPORT

(-)xi _HI im
Declassified in Part - Sanitized Copy Approved for Release 2013/02/20: CIA-RDP80T00246A069500210001-7
INFORM ON RCEP?RT INFORMATION R-.EPoRT
CENTRAL INTELLIGENCE AGENCY
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18, U.S.C. Secs. 793 and 794, the transmission or revelation of which in any manner to an unauthorized person is ,prohibitod by law.
SECRET
COUNTRY East Germany
SUBJECT Catalogs of VEB Keramische
Werke Hermsdorf
DATE OF
INFO.
PLACE &
DATE ACC
REPORT
DATE DISTR. 2511A/
NO. PAGES
REFERENCES
1
RD
50X1 -HUM
50X1 -HUM
THIS IS IINIFVA1 IIATFII INFORMATION SOIIRCF citonihirc ARF nFFINITIVF APPRAICAI (IF CrINITFAIT IC TFINITATIVE
50X1 -HUM
catalogs of VEB Keramische Werke Hermsdorf
Comment: The Attachments are unclassified when
detached.
Attachments:
-A. Halbleiter-Bauelemente (Semi-Conductor.Component$),
1963 edition
b. Hochfrequenz Kondensatoren aus Sinterwerkstoffen (High-
Frequency Capacitors of Sinter-Materials), December
1962 edition
C. Hochfrequenz Kondens-atoren, March 1959. edition
D; Manipermmagnete (permanent magnetic materials), 1955
edition with supplements
E. Hochfrequenz Bauteile (High-Frequency Components), 1958
edition
50X1 -HUM
5
4
3
2
1
5
4
3
2
1
?ARMY
SECRET
GROUP 1
EXCLUDED FROM AUTOMATIC
DOWNGRADING AND
DECLASSIFICATION
STATE
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(Note: Washington distribution indicated by "X"; Field distribution by "#".)
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HALBLEITER-BAUELEMENTE
YES HALSLEITERWERK FRANKFURT (ODER)
YES WERK FOR FERNEEHELEKTRONIK
Zwsi031 Setriebe
2
VES KERANISCHE WERKE HERHSOORF
STAT
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Declassified in Part - Sanitized Copy Approved for Release 2013/02/20: CIA-RDP80T00246A069500210001-7
Preisliste
fur Halbleiter
Bauelemente
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-r ?
ENDVERBRAUCHERPREISE
TYP
DM
OA
625
1,10
[8]
OA
645
1,10
[8]
OA
665
1,15
[8]
OA
685
1,25
(8)
OA
705
1,55
[8]
OA
626
1,45
(B)
OAA 646
3,50
[8]
20A
646
3,50
(13)
04A
657
11,50
(8)
OA
601
11,50
(8)
OA
602
5.75.
[B]
OA
603
13,85
[8]
OA
604
8,10
[81
OA
605
17,30
[B]
OA
647
2,05
[B]
OA
666
2,95
(B]
OA
720
1,15
[81
OA
721
2,05
[8]
OA
741
1.85
(8)
OA
780
lb*
[8]
LA
250/5
10,95
(8)
2A
250/6
10,25
[8)
ZA
250,17
10,25
[0]
LA
250/8
10,25
(13)
M
250!9
10,25
(81
OY
100
1,85
[F]
OY
101
2.90
[F]
OY
102
5,20
[F]
OY
103
8,35
(F)
OY
104
10,95
(F)
OY
110
1,85
[F]
OY
111
2,90
[F]
OY
112
5,20
(F)
OY
113
8,35
ffi
OY
114
10,95
[9
ii???????=?????????14111.
TYP
OY 120
OY 121
OY 122
OY 123
OY 124
OY 125
OY 910')
OY 911)
OY 912')
OY 913')
OY 914')
OY 915')
OY 916')
OY 917')
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ZL 9108
ZL 91010
91092
a 91094
ZL 91016
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slid
36,95
(F)
OC
820
54,75
[F]
OC
821
OC
822
OC
823
2.60
[F]
2 OC
821
5,75
(F]
8,10
(F)
10,40
[F]
12,00
(F)
OC
824
13,70
(F)
OC
825a
15.75
(F)
OC
8256
18.50
(F)
OC
825c
OC
825d
2 OC
825a
2 OC
825b
13,00
[F]
2 OC
825c
20C
825d
OC
826a
15,75
[F]
OC
8266
OC
82bc
4,25
[F]
OC
826d
5,25
(F]
OC
827c
5,95
(F]
OC
827b
6,55
[F]
OC
827c
7,55
[F]
OC
827d
6,90
[F]
00828
7,55
(F)
OC
829
8,20
[F]
9,15
(F)
OC
830
OC
831
OC
832
OC
833
OC
831
111.70
4,60 [ci
6,50 [F)
7,45 [9
8,50 (F)
14.30 (F)
4,85 [F)
5,90 (F)
6,50 [F)
7,45 (F)
8,50 (F)
12.95 [F]
14,10 [F]
16.45 IF1
18,70 [F]
7.20 (F1
7.80 (F)
8,50(9
9,45 (F)
7,80 [F]
8,50 (F)
9,45 (F)
10.75 [F]
7.80 (fl
9,10 [F1
9.10 (F)
12.40 IF)
14.40 [F]
17,80 [f)
29.70 (F)
OCR,'
OC 870 a
OC Slob
OC 870c
OC 870 d
OC 871
5,20
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6.50
7,45
8,50
[f]
[F]
[F]
[F]
[F]
00872
10,40
[F]
00880
9,80
IF)
OC 881
13,00
[F]
00882
15,05
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OC 883
17,$A3
(F)
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[F]
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[F]
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Sttorevemtatkeegareppee:
a =18-33. b =27-55.
c = 45-88, d = Abet 72
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Bovelemeito werdive Ili& rim*
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[F1 ? WI 146114ennrootit FierskivnfOter
npriaccifien in Part - Sanitized Copy Approved for Release 2013/02/20: CIA-RDP80T00246A069500210001-7
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as vorliegende Taschenbuch soil einen Oberblick Ober dos Fertigungspro-
gramm (Or Halbleiterbauelemente in der Deutschen Demokratischen Republik
geben.
Es sind die Halbleiterarzeugnisse folgender Werke darin enthalten:
Halbleiterdioden
VEBWerk fOr Fernsehelektronik Berlin
Fats:Kilo-den
VEB ?Carl Zeit)" Jena
Leistungs-Zenerdioden
Flichensteichrichter
Transistoren
VEB Halbfeiterwerk Frankfurt (Oder)
HalbteiterwIderstinde
VEB Keramische Werke Hermsdorf.
In Obersichtticher Form gestattet dos Taschenbuch eine scimelle Orientierung
Ober elle gefertigten Typen und ihre Wichtigsten Kenndaten. Es enthalt irn
technischen Anhang Einbau- und Anwendungshinweise. SoMen SI, ausfiihr-
fiches Information:material benatigen. wenden Sit sich bitte an die Absatz-
abtsilung des in Frage kommenden Werke'.
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ar
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Inhaltsverzeichnis
2
Seite 1
3 Typenverzeichnis
6 Erlauterungen zu den technischen Daten
7 Allgemeines iiber Kenndaten von Halbleiterbau-
elementen
8 Kurzzeichen air Dioden, Zenerdioden und Fldchen-
gleichrichter
9 Kurzzcichen fur Transistoren
13
13
34
40
47
87
133 Technischer An hang
133 Allgemeine Einbauhinweise
141 Dimensionierung von Gleichrichterschaltungen
164 Umrechnung der Transistorparameter
174) Schaltungstechnik
173 NF-Oszillatoren
173 Entzerrer-Vorverstarker
178 Geceitakt-B-Verstarker
18! Gegentt kr-B E idstufe
184 I Eisentose Gegentakt-Endstufe
Kenndateniibersicht
Dioden
Fotodioden
Leistungs-Zenerdioden und Flachengleichrichter
Transistoren
Halbleiterwiderstande Thermistoren, Varistoren
*48, 4-W-Stereoverstarker
192 SO-mW-A-Verstarker
194 Reflex-Auelion
193 S-Kreis-Kleinstsuper
196 Elektronischer Zeitschalter
199 Gleichspannungswandler
V
W
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meneIMMMMMMMM*.eNte.elgr
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(B) Fertigung Berlin,
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0000000000-0000000000000
Declassified in Part - Sanitized Copy Approved for Release 2013/02/20: CIA-RDP80T00246A069500210001-7
CD
0
CD
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CD
5'
-0
CD
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CD
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0
CD
7:1
CD
CT)
CD
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CD
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0
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3:1
0
-0
CO
0
0
0
0
CO
01
0
0
?10
0
0
Typenverzeichnis
Smite
OY 112 (F) 42
OY 113 (F) 42
OY 114 (F) 42
OY 120 (F) 43
OY 121 (F) 43
OY 122 (F) 43
OY 123 (F) 43
OY 124 (F) 43
OY 125 (F) 43
Silizium. OY 910 (F) 44
OY 911 (F) 44
gleichrichter OY 912 (F) 44
OY 913 (F) 44
OY 914 (F) 44
OY 915 (F) 44
OY 916 (F) 44
OY 917 (F) 44
Transistoren OC 810 (F)
OC III (F)
OC 112 (F)
OC 1113 (F) 51
OC 814 (F) 52
48
49
so
OC 815 (F)
OC 816 (F)
OC 817 (F)
OC 818 (F)
OC 820 (F)
OC 821 (F)
2 OC 821 (F )
OC 822 (F)
OC 823 (F)
OC 824 (F)
OC ? 835 (F)
OC 8M (F)
OC 827 (F)
OC 82 (F)
OC 1129 (F)
OC $30 (F)
OC $31 (F)
2 OC 131 (F)
OC 132 (F)
OC 833 (F)
OC (F)
OC 836 (F)
ISeite
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
Typenverzeichnis
SO.
OC
OC
137 (F)
ese (F)
75
76
OC
$70 (F)
77
OC
$71 (F)
78
OC
872 (F)
79
OC
$110 (F)
83
OC
$111 (F)
81
OC
U2 (F)
82
OC
U3 (F)
83
Halbleiter- TNA 10/100 ...
34/100 (H)
91
wider-
TN* 10/300 ...
30/300 (H)
91
stand*
TNA 100000 ?.30/1000 (H)
91
Herwid-T
Thor-
TNN
(14)
100
m Worn
TPIK ? 4
(H)
113
TNK? 10
(H)
115
Ind. gen.
TNI SOO
(H)
124
Thor-
TNI 1 K
(H)
124
mistoren
TNI S K
(H)
124
TNI 10 K
(H)
124
Sete
HRW 3/1
(H)
118
HRW 6/5
(H)
113
HRW 8/5
(H)
118
HRW 6/10
(H)
118
HRW 6/10
(H)
118
Her. HRW $,0/40
(H)
-121
wid- HRW $.0/75
(H)
, 121
T NRW 6.3/40
(H)
121
HRW 6.3,75
(H)
112
TNS. TNS-A
(H)
426
THS-11
(H)
127
Her- S60/10? 9...1300/10? IP
(H)
128
wid- 22/10-13... 680/10-13
(H)
128
SV 10/10 ?44 ... 680/10 ?44
(H)
118
Declassified in Part - Sanitized Copy Approved for Release 2013/02/20
0
0
Declassified in Part - Sanitized Copy Approved for Release 2013/02/20: CIA-RDP80T00246A069500210001-7
Erfilaterung zu den technischen Oaten
Die in diesem Abschnitt enthaltenen Angaben doenen dazu, die bel den enrol-
nen Bauelementen angegebenen technischen Oaten in Form der Kurzbezeith-
nung nahar zu erlautern.
Halbleiterbauelemente kannen auf Grund Direr Wirkungsweise und ihrrs
physikalischen Verhaltens nicht in der gleichen Weise betrachtst werden, wte
die bislang bekannten Rohren. Aus dieser,: Grunde mull man die jeweils en-
gegebenen Grenzwerte fUr die einzelnen Halbleiterbauelemente einhaitert.
Bei eventuell auftretenden Oberschreitungen der Grenzwerle mUssen Schutz-
maBnahmen vorgesehen werdert.
Die krifischen Werte bei alien Halbleiterbauelementen sind
die Sperrschichttemperatur und damit
die Verlustleistung in Verbindung mit der Warmeableitung.
die maximal flidenden Strome und
die maximal anliegenden Spannungen.
F?r
Halbleiterbauelemente. die auf Germaniumbasis aufbauen, WO die
maximal. Sperrschichttemperatur im allgemeinen bei 75?C; wahrend
sotche
out Siliziumbasis bis 150 ?C Sperrschichttemperatur angegeben werden.
Die Verlustleistung wird in Verbindung mit der Sperrschicht- und Umgebungs-
temperatur angegeben. Bei Leistungsbauelementen wird zudem noch out ge-
sonderte KOhlmaenahmen hingewiesen. Bei Einhaltung dieser Werte und bet
Beachtung der maximal fiieRenden Strome wird die maximal zulassige Sperr-
schichttemperatur nicht liberschritten. Bei Impulsbetrieb gelten ebenfalls
andere Beziehungen als in der Rohrentechnik. Die vom Bauelement gegebene
Warmezeitkonstante (AbkOhlung der Sperrschicht) mut) BerUcksichtigung
linden. a
Die maximalen Spannungsangaben sind in der Regel so angelegt, dafl ouch
wahrend einer kurzen Zeit die aullere Spannung diesen Wert nicht Ober-
schreiten dart. Es wird dann namlich die Durchbruchspannung erreicht und
ratur der Sperrschicht mit sich.
die schnell ansteigende Verlustleistung bringt eine rasch ansteigende Tempe-
FUr die Anwendung in Schaltungen und deren Auslegung mull man bei der
Auswahl von Halbleiterbauelementen grundsatzlich von deren Verlustleistunit
ausgehen. FUr Halbleiterbauelemente. welche eine Umwandlung von Energi.
vornehmen (z. 8. Fotodioden) trifft dies allerdings nur bedingt zu. FUr Diode,
Flachengleichrlchter und Transistoren lit die ober. Frequenzgrenze der Bau-
6F?r
element. (Grenzfrequenz) entscheidend fUr deren Einsatzmaglichkeit.
Dioden und Flachengleichrichter sind maximal* Spannungsangaben und ant.
nehmbarer Strom wichtig. FUr Zenerdioden lit die Zenerspannung oder
Stabilisationsspannung entscheidend fiir die Einsatzmaglichkeit. Bei To-an-
ti:toren sin0 wichtige Kennwerte die Strom- und Spannungsangaben. die
Verstarkung und bedingt dos Rauschverhaltnis. Weitere Werte warden in
Form von Eingangs-. Ausgangs- und RUckwirkungsimpedanzert besonders bei
HF-Transistoren angegeben.
Erlauterungen zu Fotodioden linden Si. out Seite 34.
Alleemeines Ober Kenndaten von Halblelterbanetementsn
Grundstitzlich unterscheidet mon statische und dynamische Kenndaten.
Statische Kenndaten beziehen sich auf die Gleichstromverhaltnisse. Si. warden
angewendet bei Strom- und Spannungsangaben. Kennlinienfeldern. Verstar-
kungsangaben u. a. m: ?
Dynamische Kenndaten sind WechseIstromangaben. Es sind im wesentlichen
Eingangs-. Ausgangs- und RUckwirkungsgreBen. Verstarkung. Grenzfrequenz
und Rauseheigenschaften der Bauelemente.
Dieu Angaben beziehen sich dann out amen bestimmten Arbeitspunkt. Bei
anderen Arbeitspunkten kannen die dynamischen Kenndaten ebenso ab-
weichend von ihrem angegebenen Wert tein.
7
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Kurzzeichen, die bei den Kenndatenangaben verwendet werrien
Dioden. Zenerdioden und Flichengleichrichter
A K
(Symbol der Dioden)
UKA
UKAmax
?????????=1110?.1....
(Symbol der Zenerdioden)
Sperrsgannung an der Diode in Sperrichtung
maximale zulassige Gleichsperrspannung an der Diode bei Dauer
belastung
Ukam
maximal zulassige Amplitude einer sinusformigen Spannung i
Sperrichtung bei angegebener minimaler Frequenz
IKA Sperrstrom
UAK DurchlaB;pannung an der Diode in DurchlaBrichtung
UAKmax maximal zuliissiger Spannungsabfall Ober der Diode in Dutch
laBrichtung bei IAKmax
IAK DurchlaBstrom
IAKmax maximal entnehmbarer Gleichstrom
IAKeff
lAKMmax Effektivwert des gesamten Diodenstromes in DurchlaBrichtung
maximal zulassige Stromspitze in DurchlaBrichtung bei butimm
ter Impulszahl. Impulsdauer und Frequenz, bei der keine bleibend
Parameterveranderung auftritt
lak maximal zulassige Amplitude der Wechselstromkomponente in
lak DurchlaBrichtung bei angegebener minimaler Grenzfrequenz
rka Effektivwert der Wechselstromkomponente in DurchlaBrichtung
dynamischer Sperrwiderstand bei bestimmter Gleichsperrspan
nung an der Diode
?
dynamischer DurchlaBwiderstand bei bestimmtem Durchlaffstrom
dynamischer Nullpunktwiderstand ?
Index K oder k bezeichnet die Katode; Index A oder a bezsichnet die Anode
rak
fa
UZ
rr
Ir
Zenerspannung
dynamischer Widerstand
Zenerstrom
U Richtspannung
Arithmstischer Mittelwert Or Spannung Ober dem Lastwiderstand Or Diode
bei einer an der Schaltung liegenden sinusfiSernigen Smutting.
I = Richtstrom
Gleichstrom, der bei einer an den AnschlOssen der Diode liegenden Wachtel-
cfr
span i
nung n DurchlaBrichtung durch die Diode flieSt.
? = Richtstromverhaltnis
12
Verhaltnis zwischen zwei Richter-omen, die dutch Wechselspannungen gleicher
GroBe, jedoch verschiedener Frequenz, erzeugt wurden.
Fotodioden
Angaben siehe &rite M.
Transistorises
Symbol der Transistoren
Statische
Pmax
PCmax
PEmax
Gp
tato
IEBO
'CEO
1COK
UCEO
UEBrnax
UGBakcac
UCEmax
1G
I Cfnax
1E
lEmax
IB
lamas
Kennwerte:
Gesamtverlustleistung (Pmax PCmax + PEmax)
Kollektorverlustleistung
Emitterverlustleistung
Leistungsverstarkungsfaktor
Kollektorreststrom in Bosisschaltung bei offenem Emitter
Emitterreststrom in BasisschaRung bei offenem Kollektor
Kollektorreststrom in Emitterschaltung bei offener Basis
Kollektorreststrom in Emitterschaltung
Emitter-Basis-Strecke (RBE ?? 0)
Kollektorrestspannung bei ICmax und
maximal zulassige Spannung zwischen
maximal zulassige Spannung zwischen
maximal zuldlssige Spannung zwisthen
Kollektorstrom
maximal tulassiger Kollektorstrom
Emitter:from
maximal zulassiger Emitterstrorn
Basisstrorn
maximal zullIssigsr Basisstrom
bei kurzgeschlossener
UCB ?0 (UCE USE)
Emitter und Basis
KoRektor und Basis
KoRektor und Emitter
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Distasniedte keanwerke
hikb
hike
hikc
Int
h12
1121
1122
likb
Yike
Yikc
T11
712
721
722
h-Parameter n Basinchaftung
h-Parameter in Emitterschaltung
h-Parameter in Koliektorschaltung
Eingangswiderstand (Ausgang kurzgesdtkmen)
Spannungsruckwirkung (Eingang offin)
Stromverstorkungsfaktor (Ausgang kurzgeschiossen)
Ausgangsleitwert (Eingang offen)
y-Paramtter in BasisschaDung
y-Parameter in Emitterschaltung
y-Parameter in Kollektorschaltung
Eingangsleitwert (Ausgang kurzgeschlossen)
Ruckwirkungsleitwert (Eingang kurzgeschlossen)
Steilheit (Ausgang kurzgeschlossen)
Ausgangsleitwert (Eingang kurzgeschlossen)
Eingangsteitwert (Reaiteil)
KR.
Cite Ca Eingangskapazitat
g22., = - Ausgangsleihv2rt (Recited)
K
Co Ausgangskapazitat
1
one = RUckwirldeitwert (Realteil)
Rro
Cue = Cro Riickwirkungskapazittit
Y24= $ Betrag der Iforwartssteilheit
Gp
rbb
Ccb
a
0
10
Leistungsverstarkung
Die y-Parameter werden ais komplexe GraBen dargestellt. Es lit
ilk 21k + ibik
fkuisbahnwiderstand
Koilektorkapazitet (Eingang kurzgeschlossen)
Raus:hfaktor in dB
Kleinsignal-Stromversttirkungsfaktor in Basisschaitung (a .--,-h21b)
Kleinsignal-Stromverstarkungsfaktor in Emitterschaltung ????
h2le)
GroBsignW-Stromversterkungdaktor in Emitterschaltung
_ IC (UcE konst.)
1S ? 'CEO
Verstarkungsgrenzfrequenz in Basisschaltung
fs Verstarkungsgrenzfrequenz in Emitterschaltung
fi Grenzfrequenz in Emitterschaitung
Analog. Angaben bei HP-Transistorea
Ce Eingangskapazitat
kite Eingangswiderstand
I S I Betrag der Steilheit I 721
Ca Ausgangskapazitai
KRi Ausgangswiderstand
CRU RUckwirkungskapazitlit
RRo RUckwirkungswiderstand
fUr 8 I. 1
1
aus rile)
1110
GUS yi e
'all.
(_1 aus y22e)
jb22e
--- aus y2,2e)
(1
1122e
aus MA)
b12*
(1 aus 712,e)
012e
Der Index b.c oder c bezeichnet weiterhin, in welcher Schaltung der jeweilige
Wert angsgeben lit.
Temperatur- uad Wirmewideretaadsestgaben
ti
to
to
tmax
Rt
Rt1
R12
TKik
Temperatur
Sperrschichttemperatur
Gehausetimperatur
Umgebunpstemperatur
maximal. Temperatur
Gescamtwarmawiderstand (Rt Rti Rti)
innerer Mirmiewiderstand
auBeret Warrnewiderstand
tj --- to Se ?
Rd ?4--; --; Kti Rt2
Ternperaturkoeffizient eines Parameters
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Halbleiter.Dioden
Vurwendungszweck und Aufbau
Halbleiter.Dkulen sind Sam"lament*, die in fast alien Zweigen der modernen
Bektronik verwendei warden. In vieleit Sdealtungen garktil sis side =shale
einut lb:Mrs/Wiest*. eines Kupfaroxydul- odor Selengleiderideters einselzen.
Bevoraugt warden sie in Meegeireiten und Ferrrsehempfiingern. z. B. nor
Reg,lung. Begrenzung. Demodulation usw., eingebaut.
Durdi die ideinen Abmessungers scrivis dutch dos Fehjen der Heizung ergsberi
side schaltungstedenische und konstruktive Varian'. Hohe Grenzfrequeni.
goings Kapavtdt1 kleines Gmiicht und groat neschanisthe Unempfindlide-
keit sind nesters Vixen!), gegeritiber den 1h:throneHaden. Kupferoxydul- und
Selengleithriditern.
Die Audiiisrung in Allem-, bzw. in Metall-Keramik-Technik firgibt *been
stabiles' Aufbau und 'ewer, &rum lull- and feadetigkeitssideeren Ab-
schlue.
Di* in Allglasfedenik gefertigten Diodon sind in *intro Glastethrdeen sin-
geschneolzen und mit Ansdeluthlrahten ~sateen. Die Diadem lawmen dotter
direkf in die Scbaltung eingel6tet warden. Der Katodenanschlull befindet
side an der mit einem Farbring gekerinzaidenetess Wilt des Glaskertnrs?
Die in Metall-Karamik-Tedenik geferrigten Diadere sited in kercussikaiterchen
untergebradst, deren &den mit kletallkappen. bzW. mit Metalideekelse ~-
midmost and (Paironsiniorns). Der Einbau in dist Sdscdtting ist gerategebun-
den: is OM keine bandsbliblicht Fassung dafilr. Der Katodersonadelve lit
thirds die hieteNkappe gageben.
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Allgemeine Hinweise fiir den Einbau
Beim Einbau von Dioden, die in Afiglastechnik ausgefiihrt sand, lit liesoridere
Sorgfatt erforderlich.
Beim Einidten der Dioden in Schaltungen empfiehlt es sick die AnschluBdrdhte
nicht zu kiirzen. Es lit dabei fur eine Warmeableitung (Flachsange) unmittel-
bar am Glaskdrper zu sorgen, so da8 die maximal zuldssige Sparnwhicht-
temperatur nicht liberschritten wird. Urn eine Zerstdrung der Dioden durch
Fehlstrame des Ldtkolbens zu verhindern, lit der Ldtkolben zu erden. Ein Ab-
biegen de; Anschluedrdhte unmittelbar hinter der Einschmelmstelle is? zu ver-
meiden. Ferner mu8 darauf geachtet werden, dal) die Dioden nicht in die
Nahe von Worme erzeugenden Bauelementen eingebaut werden
Allgemeine Hinweise fur den Betrieb
?
Die Grenzwerte diirfen mit Riicksicht auf die Lebensdauer der Diode unter
?
keinen Umstanden Uberschritten werden.
lm Betriebszustand lit zu beachten, da8 die Betriebs7 und Grenzwerte infolge
des vorhandenen TeMperaturkoeffizienten temperaturabhdngig sind. Beim
oberschreiten der Grenzwerte, bzw. bei Nichteinhalten der Hinweise erliscbt
leder Gewahrleistungsanspruch.
14
Universaidiode
Germaniumdiode in Allglasausfiihrung mit Medlar-
ohmigem Durchlaewiderstand
Masse: za. 0,5 g
Statische Wert*
bei Umgebungstemperatur
DurchlaBstrom bei UAK w 1 V
Sperrstram bei UKA 10 V
bei UKA w 20V
Grenzwerte
bei Umgebungstemperatur
Staspannung
(1 s, Pause aI min)
Spitzenspannung (f a 25 Hz)
Sperrspannung
Val:tram
(1 s, Pause aI min)
Spitzenstrom a 25 Hz)
DurchlaBstrom
Sperrschichttemperatur
Mittferer Temptratur-
koeffizient dci Stromes
im Bereich + 10 ?C ? ?
bei UAK w 1 V
bei UKA w 10 V
lAK
IKA
IKA
25 ?C - S grd
a s
sum
ssoo
t25 -5 drd
UKAMmax
UKAmax
UKAmax
IAKMmax
tAKmax
IAKmax
timax
+ 60?C
27
mA
pA
pA
60 ?C
27
24 24
22 TO
100
45
20
2
5
100
45
4
75
im,,,Inecifiori in Part - Sanitized CODV Approved for Release 2013/02/20 : CIA-RDP80T00246A069500210001-7
mA
mA
mA
?C
Ward
Wgrd
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uo
OA 645
Gen=e-L-RxrAvse Afiglasausfithrvaa
Masse: ca.. 03 0
StatiscbeWerte
bei Unsgebungsternperatur
Dar&lafistrom bei UKA ?1 V IAK
Sperrstrom bei UKA 10 V 1KA
bei UAK 2= 40 V IKA
Grenzwerte
be Umgebtongsternperatur
Stoespannang
(1 s. Pause a 1 min)
Spitzeaspannung (f a 25 Hz)
Sperrspannung
StoOstrom
(1 s? Pause a 1 min)
Spitzenstrom (f k 25 Hz)
OurdilaOstrom
Sperrschictiftemperatur
Miftlerer Ternperatur-
koeffrzient des Ur:ma im
Berticb + 10 ?C - ? - +60?c
be UA K 1 V
bei UKA 10 V
Illarrforns I
TGL 1109$
25 ?C ? S oral
o3
soo
esA
FA
pA
42 25 ?C - 5 grd 60 ?C
uKAMmax 55 so
UKArnau SO ts
UKA max 40 35 V
IAKMnsau 100 100 MA
IAKmax 45 45 asA
IAKmax 15 3 NIA
times 75 ?C
2
%/Ord
VsjOrd
Universaidloge
Germaniusuliode in Allakiesusfilbreng
Masse: ca. 0.5 g
Statische Wert,
bei Umgebungstemperator to 25 - 5 OA
Durcbialistrom bei UAK 1 V IAK
SPerrstrom bei UKA = 10 V IKA g50
bei UKA 60 V IKA g500
Grenzwerte
bei Umgebuegstemperatur
Stoespannung
(1 s. PeUsit I IWO)
Spitzenspannung (f a 25 Hz)
Sperm:mammy
Sloistroas
(Is, Pause 1 min)
Spitzenstrom (f a 25 Hz)
DurdslaBstrorn
Sperrechichttemperatur
Mittlerer Temperatur-
koeffizient des. Simms ins
&welds -I- 10 ?C ? ? ? + 60 *C
bei UAK 1 V
bei UKA 0?10 V
16
2
Ilevforns I
TGL
sci 2S ?C-Sgrd
UKAMmax
UKAmax
UKAmax
IAKSArisax
IAKmax 45
IAKmenc
tjmQx
00
7?
60
100
12
2
OA 665
mA
pA
pA
te ?C
75
65
so
100 mA
45 mA
2,5 mA
75 ?C
Vehlr4
`Ye/Ord
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Chaveriatitiode
Gerwraniumdfartst irr Allgtaraudlibrurrg ant hada-
aferrisgorr Spernedirossed
11
Musse: at. 0,5 g
Siati.xch: We rte
Uregabungmernueratur sa
Ofurchtatbaterr fzei LtAK =1 V IAK
Spurr:from bei I?PKA = 1G V IKA
beiL1KAy. /KA
Gritazwer to
bel thecabungstemparautr
SratIsponnung
Pause a I met)
Spitemsparmung (f 25 Hz)
Sperriparmuln
Sesame=
(1 s. Pause a 1 min)
Spirzenstram (f a 25 Hz)
Chtraticestrzeu
Sperrschichttemperatur
fditaarer Tempercrtur:
ItoefSzientde Stromes im
Sweats + 10 ?C ? ? ? +60 ?C
bri LIAK = 1 V
be UKA 10 V
liserform I
TGL 8095
25 :C - 5 grd
LIKASotalax 100
IJKAnsax 90
LIKAraisx 80
1:KAMmcac
AArescx
I Agencx
rimcx
10G
45
10
2
10
0A685
eaA
pA
pA
60 cc
ss
75
100
45
2
75
enA
etehrd
Yeiard
Universeldiode
Geramniumdiode in Allglosausfiittrureg mil hods-
ohnsigam Sperrwiderstand
OA 705
Massa: ca. 0.5 g
Statissise Wart:
bai Urnsprbongstemperatur to
Durchlaestrom be UAK V IAK
Sparrsirom bei UKA = 10 V fKA
bei UKA mg 100V IKA
Grenzwerts
bei Umpsbungstemparatur
Stekpannung
(1 s. Pause a 1 min)
Spitzenspeumung (f a 25 Hz)
Sperrspannueg
Stash-ern
(1 s. Pause a 1 min)
Spitz:est/we (1 a 25 Hz)
Durchksestrorn
Sperrschidtttaraperotur
Mittlarer Teraperotur-
koeffizient des Stromlo ins
Boreal + 10 ?C ? ? ? + 60 ?C
be UAK 4= 1 V
bui UKA ea 10 V
Ilsoform I
TGL 8095
?
25 PC- S gni
VS
UKAMmax
CIKAmox
UKArnex
Al(Mmax
'Akre*: 45
IAKesex
time
120
110
100
100
10
10
mA
pA
p A
60 ?C
100 V
540 V
80 V
100 mA
45 mA
2 mA
75 ?LC
Declassified in Part - Sanitized Copy Approved for Release 2013/92/20: CIA-RDP80T00246A069500210001-7
%/11rd
%hard
19
20
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Video-Diode
Gerrnaniumdiode in Allglasausfiihrung zur Gelds-
richtung der Bildzwischenfrequenz von f 211 39 mHz
Masse: ca. 0,5 g
Statische Wane und Betriebsdaten
bei Umgebungstemperatur ta
DurchlaBstrom bei UAK = I V 1AK
Sperrstrom
bei UKA = 10 V
bei UKA = 2Q V
Spannungsrichtwert
Grenzwerte
bei Umgebungstemperatur
StoBspalnung
(1 s, Pause a 1 min)
Spitzenspannung (f :4 25 Hz)
Sperrspannung
StoBstrom
(1 s, Pause a 1 min)
Spitzenstrom if 2.5 Hz)
DurchlaBstrom
Sperrschichttemperatur
Mittierer Temperatur-
koeffizient des Stromes im
Bereich + 10 ?C ? ? ? + 60?C
bei UAK = I V
bei UKA = 10 V
Bauform I
TGL 8096
25 ?C 5 grd ?C
o3
1KA 100
1KA .1500
a0.7
to 25 ?C - 5 grd 60
UKAMmax 27
OKAmax 24
UKAmax 20
IAKMmax
1AKmax
1AKmax
imax
100
45
20
2
5
27
24
20
100
45
4
75
0A626
mA
FA
p A
?C
V
V
V
mA
mA
mA
?C
Yokird
%igrd
Germanium-Diodimpaar
1 2 OA 646
Das Germanium-Diodenpaar besteht aus zwei etektrisch anniihernd
gleichen Einzeldioden in AllglasausfUhrung.
Das Poor signet sich ads Ratiodetektor zur Frequenzdemodulation.
Das Diodenpaar wird in der Form ausgeliefert. daB die Anschlu8-
drflhte paarweise durch amen Obergestreiften lsolierschlauch zu-
sammengehalten warden.
Masse: ca. 1 g
StatischeWerte der Einzeldiode
bei Umgebungstemgerator ta
Durchlaestrom bei UAK 1 V IAK
Sperrstrom bei UKA 10V IKA
bei UKA 40 V "KA
25 ?C- grd
5
40
300
mA
pA
pA
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25
C - 5 grd
60
UKAMmax
55
SO
UKAmax
50
45
UKAmax
40
35
IAKMmax
100
100
1AK max
45
45
IAKmax
3
timax
75
G re n z we rte
bei Umgebungstta
emperatur
Staspannung
(1 s. Pause 1 min) ?
Spitzenspannung (f 25 Hz)
Sperrspannung
Stastrom
(1 s. Pause 1:-?. 1 min)
Spitzenstrom (f 25 Hz)
DurchlaBstrom
Sperrschichttemperatur
Mittlerer Temperatur-
koeffizient des Stromes im
Be.reich + 10 ?C ? ? - + 60 ?C
bei UAK = 1 V
bei UAK = 10 V
Bauform
TG1 14 975
2
5
?C
mA
mA
mA
?C
%/grd
%/grd
Diodenquartett
04A 657
Ein Diodenquartett besteht aus vier Germanium-Spitzendioden, die
im Spannungsbereich von 0 ? ? 1 V einen annahernd gleichenStrom-
verlauf haben.
Dodenquartette 04A 657 sind fur die Tragerfrequenztechnik verge-
sehen. Sic werden zum Modulieren der Tragerfrequenz im Nach-
richtenverkehr verwendet. Der Trager wird herbei unterdrackt.
Ein Ma8 far die Gate der Diodenquartette 1st die Tragerdampfung.
Die Dioden sind in einem Gehause aus Polystyrol untergebracht. Das
Gehause ist mit einem Kunstharz verschlossen. Die einzelnen Dioden
sind entsprechend der auf dem Gehause dargestellten Schaltung an-
geordnet.
Me8schaltung zur Messung der Tragerdampfung:
No
Ri
R2
No
T-
4
Iii
Generator (6 KHz)
Pegelmesser
250 9
Differentialabertrager
(6000 I) : 600 bei = 6 ? ? ? 100 kHz)
Pruning 04A 657
Bandpass fiir 6 kHz (Dampfung 6 N bei 12 kHz)
Abschlawiderstand 600 9
23
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De Tragerdampf.ng er-g.bt Lct-. d-- aus: = In ? In x
U1
U2
Ii-x --tgerdampfung, die durch den
....:ertrager und den Bandpass
ee-vorgerufen wird
aT Trdgerddrnpfur.g (NJ
U1 Tragereinciangspeg&
U2 Trdgerausgangspegel
Die Tragerddmpfung durch den Ube"-ager betragt 1.15 N.
Masse: ca. 2,5 g
Statische Were und Betriebsda.en
be Umgebungstemperatur ta 25 :C - 5 grd
Durchla8strom bei UAK = I V IAK 7.5 ? ? ? 123
Sperrstrom bei UKA = 10 V IK A ? :40
bei UKA = 40 V IKA
Tragerdampfung
(U1 = ON; Pr= 6 KHz)
Grenzwerte
bei Umgebungstemperatur ta
Staspannung
(1 s, Pause -- 1 min)
Spitzenspannung (f 25 Hz)
Sperrspannung
StoRstrom
(1 s; Pause > 1 min)
Spitzenstrom (f 25 Hz)
DurchlaBstrom
Sperrschichttemperatur
Mittlerer Temperatur-
koeffizient des Stromes im
Bereich 10 ? ? ? 60 ?C
bei UAK = 1 V
bei UKA = 10 V
Bauform 4
aT
-4,5
mA
itA
trA
25 C ?5 grd 60 -C
UKAMmax 55 50 V
UKAmax 50 45 V
UKAmax 40 35
IKAMmax
IAKmax
'AK
timax
100
100 mA
45 45 mA
15 3 mA
75 ?C
2
%/grd
%/grd
dm-Richtdioden
Germaniumdioden in Metall -Keramik-Ausfuhrung
zum Gleichrichten der Frequenzen im dm-Wellen-
bereich
0A601
0A601
Masse: ca. 2,5 g
Statische Werte
bei Umgebungstemperatur
DurchlaBstrom bei UAK= 1 V
Sperrstrom bei UKA = 5 V
Betriebswerte
bei Umgebungstemperatur
Richtstrom
bei 50 mW HF-Leistung
to
IAK
KA
25 ?C - 5 grd
>5
":71
mA
mA
to 25 ?C - 5 grd
OA 631 OA 602
I -_-;" 4,5 -5:3,5 m A
Grenzwerte
bi Umgebungstemperatur to 25 ?C - 5 grd
Spitzenspannung (f 25 Hz)
Sperrspannung
Spitzenstrom (1 ? 25 Hz)
Durchlastrom
Maximale Belastbatkeit
(HF-Leistu-g)
Sperrschichttemperatur
UKAMax 6
UKAmax 5
IAKMax 20
IAKmax 15
Ijmax
75
V
mA
mA')
150 mW
?C
1) Bei hoheren Umgebungstemperaturen (to > 25 ?C) ist der maxi-
male Durchla8strom IAKmax (bei to -= 25 ?C - 5 grd)mit dem Faktor
ta ? 25 ?C
( 1 ? -
45?C
zu multiplizieren
Sauform 3
TGL 14 978
25
A.11?1111M1111.11MPON.0111411,1?11111k
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L-1-0001-Z009690V917Z00108dCl-V10 O/O/O eseeiej -104 panaiddv Ado paz!l!ueS u! PeWsseloaCI limim?????K
.1j1111m1"'
191
Wid)Hili
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L-1-000 1-Z009690V917Z00108da-V10 : OZ/ZO/C I-0z aseala -104 panaiddv Ado 0 paz!l!ueS -1-led u! PeWsseloaCI
Yr6
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Jo to 1,,j, bit 41 irro ilolool!...01,,,,91,11110 111,1101s
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It? I
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lt
Declassified in Part - Sanitized Copy Approved for Release 2013/02/20 : CIA-RDP80T00246A069500210001-7
Schattdioden
Germaniumdioden in Allglasauskihrung mit germger
Sperrtragheit, besonders fur elektronischen Rechen-
maschinen
28
Masse: ca. 0,5 g
Statische Werte
bei Umgebungstemperatur ta 25 C - 5 grd
OA 647
6
140
-10
Durchla8strom
Sperrspannung
Grenzwerte
bei UAK I V
UKA bei 10 V
bei 20 V
bei 35 V
bei 60 V
1
OA 666
5
1000
? 70
0A647
OA 666
mA
pA
pA
p A
pA
bei Umgebungstemperaturen ta 25
OA 647
Sperrspannung UKAmax 25
Spitzenspannung (f=25Hz) UKAmax 35
Spitzenstrom (f=25Hz) IK Amax 30
Stoestrom
(1 s, Pause 2 min) IAKmax 50
Verlustleistung Pvmax
Sperrschichttemperatur tjmax 100
Dynamisc he Werte
Sperrtrdgheit
25 u. 60 :C - S grd
OA 666
60
60
150 mA
150 mA
100 mW
100 'C
Bei Anlegung einer symetrischen Rechteckspannung == 50 kHz mit
einer Flankensteilheit LI; 0,1ps. eines Durchia8stromes IAK == 33 mA
und einer Sperrspannung
Sperstrom (nach 0.5 /is)
(nach 3,5 ps)
Bauform I
TGL 14 977
OA 647 OA 666
KK A-=-- 10 Z UKA --= 35 V
IKA 5. 500 700 pA
'KA,.-`5 83 %90 PA
Schattdioden
Germanium-Golddrahtdioden in AllglasausfUhrung
mit einem gro8en Verhciltnis von Sperr- zu Durch-
icSwiderstand fZir Schaltzwecke
OA no
OA n1
OA 741
Masse: ca. 0,5 g
Statische Werte
bei Umgebungstemperatur
DurchlaBspannung
bei 'AK = 75 mA
Sperrstrom
bei UKA = 10 V
bei UKA = 20 V
bei UKA = 40 V
Grenzwerte
0A720
25 ?C - 5 grd
0A721 0A741
UAK
1
- 0.7
-..0.8
V
1KA
--1000
50
y A
IKA
--1000